25亿次、快100万倍，“破晓”！打破现有存储技术框架理论瓶颈
04/19
07:21
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院科研团队日前发布一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，这是迄今为止全球最快的半导体电荷存储技术。这一成果已在国际知名学术期刊《自然》发表。
复旦大学科研团队将这个存储器命名为“破晓”，只有1平方厘米大小，外观和普通存储器别无二致。然而它通过创新的物理机制，将存储器擦写速度提升到400皮秒实现一次擦或者写，一皮秒只相当于一万亿分之一秒。“破晓”这个速度相当于每秒可执行25亿次操作，比传统闪存快100万倍。
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森介绍，这一速度的提升是极具突破性的，完全打破了现有的存储技术框架的一个理论瓶颈。
据介绍，团队科研人员提出了全新的提速思路，这一创新不仅实现了速度上的巨大突破，而且这种新型存储器在掉电的情况下，数据也不会丢失。
商业应用后 有望助推人工智能计算发展
科研团队主要负责人介绍，这一全新成果距离转化为商业应用并不遥远。目前，团队已经与生产厂家合作进行了流片验证。未来，这一技术有望在人工智能计算等方面发挥巨大作用。
专家介绍，人工智能大模型的计算主要依赖GPU显卡芯片。目前，主流的商用GPU芯片已经可以实现每秒33.5万亿次浮点运算，然而与之配套的存储器的写入或者擦除一次的速度却仍停留在微秒级别。
复旦大学“破晓”存储器的能力正好可以应对GPU芯片高速运算的需求。为了能让这一突破性的技术早日实现成果转化，复旦大学科研团队在研发的过程中就与生产企业深度合作。据了解，目前，已经进行了流片验证，并取得初步成果。
刘春森介绍，目前，已经能够实现一个小规模全功能的芯片流片，下一步可以开始把它尝试集成到现有的手机和电脑。这样，手机和电脑在部署本地模型的时候，再也不会遇到卡顿、发热等现有的存储技术带来的一些瓶颈问题。
